Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STW33N60DM2

STW33N60DM2
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
15.5 A
Pulsed drain current
96 A
Power dissipation
190 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 36 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%1 240,72 ₽

Сумма · с НДС 22%1 240,72 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 11 240,72 ₽
от 10983,36 ₽
от 30772,09 ₽
от 60727,92 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSTW33N60DM2
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current15.5 A
Pulsed drain current96 A
Power dissipation190 W
КорпусTO247
Gate-source voltage±25 V
On-state resistance0.11 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge43nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 15.5A; Idm: 96A; 190W; TO247

Документация

Документ производителя