STMICROELECTRONICS
Транзистор STW26NM60N
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Технология
- MDmesh™ II
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 600 V
- Drain current
- 12.6 A
- Power dissipation
- 140 W
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеНаличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.
Характеристики
| Артикул производителя | STW26NM60N |
|---|---|
| Производитель | STMICROELECTRONICS |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Технология | MDmesh™ II |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 600 V |
| Drain current | 12.6 A |
| Power dissipation | 140 W |
| Корпус | TO247 |
| Gate-source voltage | ±30 V |
| On-state resistance | 135 mΩ |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Kind of package | tube |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ II; unipolar; 600V; 12.6A; 140W
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.