Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STW25N60M2-EP

STW25N60M2-EP
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
11.3 A
Pulsed drain current
72 A
Power dissipation
150 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSTW25N60M2-EP
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current11.3 A
Pulsed drain current72 A
Power dissipation150 W
КорпусTO247
Gate-source voltage±25 V
On-state resistance0.175 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge29nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11.3A; Idm: 72A; 150W; TO247

Документация

Документ производителя