STMICROELECTRONICS
Транзистор STW20NM60
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Технология
- MDmesh™
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 600 V
- Drain current
- 12.6 A
- Рассеиваемая мощность
- 192 W
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 208 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%1 393,32 ₽
Сумма · с НДС 22%1 393,32 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 1 393,32 ₽ | |
| от 10 | 957,57 ₽ | |
| от 20 | 880,46 ₽ | |
| от 30 | 837,43 ₽ | |
| от 60 | 765,70 ₽ | |
| от 120 | 693,97 ₽ | |
| от 150 | 670,66 ₽ | |
| от 300 | 598,93 ₽ | |
| от 510 | 545,13 ₽ | |
| от 1200 | 457,27 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | STW20NM60 |
|---|---|
| Производитель | STMICROELECTRONICS |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Технология | MDmesh™ |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 600 V |
| Drain current | 12.6 A |
| Рассеиваемая мощность | 192 W |
| Корпус | TO247 |
| Gate-source voltage | ±30 V |
| On-state resistance | 0.25 Ω |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Kind of package | tube |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.6A; 192W; TO247
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.