STMICROELECTRONICS
Транзистор STW20NK50Z
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Технология
- MDmesh™
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 500 V
- Drain current
- 12.6 A
- Power dissipation
- 190 W
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 489 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%930,75 ₽
Сумма · с НДС 22%930,75 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 930,75 ₽ | |
| от 10 | 545,15 ₽ | |
| от 30 | 457,78 ₽ | |
| от 60 | 417,89 ₽ | |
| от 90 | 396,99 ₽ | |
| от 120 | 385,60 ₽ | |
| от 510 | 340,01 ₽ | |
| от 600 | 338,11 ₽ | |
| от 1200 | 324,81 ₽ | |
| от 3000 | 309,62 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | STW20NK50Z |
|---|---|
| Производитель | STMICROELECTRONICS |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Технология | MDmesh™ |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 500 V |
| Drain current | 12.6 A |
| Power dissipation | 190 W |
| Корпус | TO247 |
| Gate-source voltage | ±30 V |
| On-state resistance | 0.27 Ω |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Kind of package | tube |
| Kind of channel | enhancement |
| Version | ESD |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.6A; 190W; TO247; ESD
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.