Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STW19NM60N

STW19NM60N
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
8.2 A
Pulsed drain current
52 A
Power dissipation
110 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSTW19NM60N
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current8.2 A
Pulsed drain current52 A
Power dissipation110 W
КорпусTO247
Gate-source voltage±25 V
On-state resistance0.26 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge35nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8.2A; Idm: 52A; 110W; TO247

Документация

Документ производителя