Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STW18NM60N

STW18NM60N
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
8.19 A
Pulsed drain current
52 A
Power dissipation
130 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSTW18NM60N
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current8.19 A
Pulsed drain current52 A
Power dissipation130 W
КорпусTO247
Gate-source voltage±25 V
On-state resistance0.25 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge34nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.19A; Idm: 52A; 130W; TO247

Документация

Документ производителя