Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STW18N60M2

STW18N60M2
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
MDmesh™ || Plus
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
8 A
Power dissipation
110 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSTW18N60M2
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияMDmesh™ || Plus
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current8 A
Power dissipation110 W
КорпусTO247
Gate-source voltage±25 V
On-state resistance255 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 8A; 110W

Документация

Документ производителя