Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STW18N60DM2

STW18N60DM2
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
MDmesh™ DM2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
7.6 A
Power dissipation
90 W

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 100 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%697,42 ₽

Сумма · с НДС 22%697,42 ₽

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1697,42 ₽
от 10387,24 ₽
от 30362,20 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSTW18N60DM2
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияMDmesh™ DM2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current7.6 A
Power dissipation90 W
КорпусTO247
Gate-source voltage±25 V
On-state resistance0.26 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 7.6A; 90W; TO247

Документация

Документ производителя