STMICROELECTRONICS
Транзистор STW11NK90Z
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Технология
- SuperMesh™
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 900 V
- Drain current
- 5.8 A
- Pulsed drain current
- 36.8 A
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 66 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%1 456,10 ₽
Сумма · с НДС 22%1 456,10 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 1 456,10 ₽ | |
| от 2 | 1 387,90 ₽ | |
| от 10 | 1 070,88 ₽ | |
| от 30 | 799,93 ₽ | |
| от 60 | 667,22 ₽ | |
| от 120 | 573,22 ₽ | |
| от 150 | 551,11 ₽ | |
| от 510 | 473,69 ₽ | |
| от 600 | 466,32 ₽ | |
| от 750 | 458,95 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | STW11NK90Z |
|---|---|
| Производитель | STMICROELECTRONICS |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Технология | SuperMesh™ |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 900 V |
| Drain current | 5.8 A |
| Pulsed drain current | 36.8 A |
| Рассеиваемая мощность | 200 W |
| Корпус | TO247 |
| Gate-source voltage | ±30 V |
| On-state resistance | 980 mΩ |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Kind of package | tube |
| Kind of channel | enhancement |
| Version | ESD |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5.8A; Idm: 36.8A; 200W; TO247
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.