STMICROELECTRONICS
Транзистор STW10NK80Z
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Технология
- SuperMesh™
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 800 V
- Drain current
- 6 A
- Рассеиваемая мощность
- 160 W
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 123 шт.
Цена и наличие обновляются Данные на
Последняя цена / шт. · с НДС 22%1 142,11 ₽
Сумма · с НДС 22%1 142,11 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 1 142,11 ₽ | |
| от 10 | 690,14 ₽ | |
| от 30 | 611,38 ₽ | |
| от 60 | 560,74 ₽ | |
| от 120 | 511,98 ₽ | |
| от 150 | 498,85 ₽ | |
| от 300 | 451,97 ₽ | |
| от 510 | 414,46 ₽ | |
| от 750 | 388,20 ₽ | |
| от 1020 | 367,58 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | STW10NK80Z |
|---|---|
| Производитель | STMICROELECTRONICS |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Технология | SuperMesh™ |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 800 V |
| Drain current | 6 A |
| Рассеиваемая мощность | 160 W |
| Корпус | TO247 |
| Gate-source voltage | ±30 V |
| On-state resistance | 0.9 Ω |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Kind of package | tube |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 160W; TO247
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.