Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STQ2HNK60ZR-AP

STQ2HNK60ZR-AP
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
0.5 A
Pulsed drain current
2 A
Рассеиваемая мощность
3 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 1 712 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%262,47 ₽

Сумма · с НДС 22%262,47 ₽

Проверяем актуальные условия

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1262,47 ₽
от 10144,00 ₽
от 50117,75 ₽
от 100107,72 ₽
от 50086,40 ₽
от 100078,01 ₽
от 200070,18 ₽
от 400062,70 ₽
от 600058,51 ₽
от 1000053,41 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSTQ2HNK60ZR-AP
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current0.5 A
Pulsed drain current2 A
Рассеиваемая мощность3 W
КорпусTO92 Formed
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance4.8 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge11nC
Kind of packageAmmo Pack
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 500mA; Idm: 2A; 3W

Документация

Документы пока не предоставлены.