Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STQ1NK80ZR-AP

STQ1NK80ZR-AP
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
800 V
Drain current
0.25 A
Pulsed drain current
5 A
Рассеиваемая мощность
2.5 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 1 525 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%245,67 ₽

Сумма · с НДС 22%245,67 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1245,67 ₽
от 10159,77 ₽
от 50114,05 ₽
от 10099,88 ₽
от 50076,21 ₽
от 100069,04 ₽
от 200063,12 ₽
от 400058,28 ₽
от 500057,02 ₽
от 600056,13 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSTQ1NK80ZR-AP
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage800 V
Drain current0.25 A
Pulsed drain current5 A
Рассеиваемая мощность2.5 W
КорпусTO92 Formed
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance16 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge7.7nC
Kind of packageAmmo Pack
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 250mA; Idm: 5A; 2.5W

Документация

Документы пока не предоставлены.