Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STQ1NK60ZR-AP

STQ1NK60ZR-AP
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
0.3 A
Pulsed drain current
0.189 A
Рассеиваемая мощность
3 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 1 805 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%173,69 ₽

Сумма · с НДС 22%173,69 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1173,69 ₽
от 10101,32 ₽
от 5081,24 ₽
от 10073,64 ₽
от 50057,72 ₽
от 100051,38 ₽
от 200045,77 ₽
от 400040,71 ₽
от 600039,98 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSTQ1NK60ZR-AP
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current0.3 A
Pulsed drain current0.189 A
Рассеиваемая мощность3 W
КорпусTO92 Formed
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance15 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge4.9nC
Kind of packageAmmo Pack
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 300mA; Idm: 0.189A; 3W

Документация

Документы пока не предоставлены.