Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STQ1NC45R-AP

STQ1NC45R-AP
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SuperMesh™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
450 V
Drain current
0.315 A
Pulsed drain current
2 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSTQ1NC45R-AP
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSuperMesh™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage450 V
Drain current0.315 A
Pulsed drain current2 A
Power dissipation3.1 W
КорпусTO92 Formed
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance4.5 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge7nC
Kind of packageAmmo Pack
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 450V; 0.315A; Idm: 2A; 3.1W

Документация

Документы пока не предоставлены.