Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STQ1HNK60R-AP

STQ1HNK60R-AP
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
0.25 A
Pulsed drain current
1.6 A
Рассеиваемая мощность
3 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSTQ1HNK60R-AP
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current0.25 A
Pulsed drain current1.6 A
Рассеиваемая мощность3 W
КорпусTO92 Formed
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance8.5 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packageAmmo Pack
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.25A; Idm: 1.6A; 3W

Документация

Документ производителя