Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STP9NK60Z

STP9NK60Z
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SuperMesh™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
4.4 A
Power dissipation
125 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 298 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%637,56 ₽

Сумма · с НДС 22%637,56 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1637,56 ₽
от 5500,27 ₽
от 10436,32 ₽
от 30353,57 ₽
от 50323,48 ₽
от 100285,87 ₽
от 500235,09 ₽
от 1000218,16 ₽
от 1250214,40 ₽
от 2000206,88 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSTP9NK60Z
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSuperMesh™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current4.4 A
Power dissipation125 W
КорпусTO220-3
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.95 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.4A; 125W; TO220-3; ESD

Документация

Документ производителя