STMICROELECTRONICS
Транзистор STP9NK50Z
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Технология
- SuperMesh™
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 500 V
- Drain current
- 7.2 A
- Power dissipation
- 110 W
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 463 шт.
Цена и наличие обновляются Данные на
Последняя цена / шт. · с НДС 22%490,72 ₽
Сумма · с НДС 22%490,72 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 490,72 ₽ | |
| от 5 | 372,34 ₽ | |
| от 10 | 336,06 ₽ | |
| от 50 | 263,50 ₽ | |
| от 100 | 244,41 ₽ | |
| от 200 | 227,22 ₽ | |
| от 500 | 202,40 ₽ | |
| от 1000 | 189,03 ₽ | |
| от 1500 | 183,30 ₽ | |
| от 3750 | 171,85 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | STP9NK50Z |
|---|---|
| Производитель | STMICROELECTRONICS |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Технология | SuperMesh™ |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 500 V |
| Drain current | 7.2 A |
| Power dissipation | 110 W |
| Корпус | TO220-3 |
| Gate-source voltage | ±30 V |
| On-state resistance | 0.85 Ω |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Kind of package | tube |
| Kind of channel | enhancement |
| Version | ESD |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.2A; 110W; TO220-3; ESD
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.