Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STP8NM50N

STP8NM50N
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
MDmesh™ II
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
500 V
Drain current
3 A
Рассеиваемая мощность
45 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 162 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%465,25 ₽

Сумма · с НДС 22%465,25 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1465,25 ₽
от 10274,84 ₽
от 30229,93 ₽
от 50224,54 ₽
от 100215,56 ₽
от 500204,78 ₽
от 750199,39 ₽
от 1000195,80 ₽
от 1250194,00 ₽
от 2000186,82 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSTP8NM50N
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияMDmesh™ II
Polarisationunipolar
Drain-source voltage500 V
Drain current3 A
Рассеиваемая мощность45 W
КорпусTO220-3
Gate-source voltage±25 V
On-state resistance790 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ II; unipolar; 500V; 3A; 45W; TO220-3

Документация

Документ производителя