STMICROELECTRONICS
Транзистор STP8NK80Z
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Технология
- SuperMesh™
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 800 V
- Drain current
- 3.9 A
- Power dissipation
- 140 W
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеНаличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.
Характеристики
| Артикул производителя | STP8NK80Z |
|---|---|
| Производитель | STMICROELECTRONICS |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Технология | SuperMesh™ |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 800 V |
| Drain current | 3.9 A |
| Power dissipation | 140 W |
| Корпус | TO220-3 |
| Gate-source voltage | ±30 V |
| On-state resistance | 1.5 Ω |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Kind of package | tube |
| Kind of channel | enhancement |
| Version | ESD |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 140W; TO220-3; ESD
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.