Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STP8NK100Z

STP8NK100Z
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SuperMesh™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1 kV
Drain current
4.3 A
Power dissipation
160 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 56 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%1 149,19 ₽

Сумма · с НДС 22%1 149,19 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 11 149,19 ₽
от 2773,09 ₽
от 10566,05 ₽
от 25491,97 ₽
от 50446,38 ₽
от 100404,59 ₽
от 200364,70 ₽
от 500321,01 ₽
от 1000302,02 ₽
от 2000294,42 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSTP8NK100Z
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSuperMesh™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1 kV
Drain current4.3 A
Power dissipation160 W
КорпусTO220-3
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance1.85 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 4.3A; 160W; TO220-3; ESD

Документация

Документ производителя