Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STP80N600K6

STP80N600K6
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
800 V
Drain current
7 A
Pulsed drain current
15 A
Power dissipation
86 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSTP80N600K6
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage800 V
Drain current7 A
Pulsed drain current15 A
Power dissipation86 W
КорпусTO220-3
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.6 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge10.7nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7A; Idm: 15A; 86W; TO220-3

Документация

Документы пока не предоставлены.