Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STP80N1K1K6

STP80N1K1K6
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
800 V
Drain current
5 A
Pulsed drain current
8 A
Рассеиваемая мощность
62 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSTP80N1K1K6
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage800 V
Drain current5 A
Pulsed drain current8 A
Рассеиваемая мощность62 W
КорпусTO220-3
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance1.1 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge5.7nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5A; Idm: 8A; 62W; TO220-3

Документация

Документы пока не предоставлены.