STMICROELECTRONICS
Транзистор STP7N80K5
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Технология
- SuperMESH5™
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 800 V
- Drain current
- 6 A
- Power dissipation
- 110 W
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеНаличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.
Характеристики
| Артикул производителя | STP7N80K5 |
|---|---|
| Производитель | STMICROELECTRONICS |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Технология | SuperMESH5™ |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 800 V |
| Drain current | 6 A |
| Power dissipation | 110 W |
| Корпус | TO220-3 |
| Gate-source voltage | ±30 V |
| On-state resistance | 1.2 Ω |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Kind of package | tube |
| Kind of channel | enhancement |
| Version | ESD |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 6A; 110W; ESD
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.