STMICROELECTRONICS
Транзистор STP6NK60ZFP
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Технология
- SuperMesh™
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 600 V
- Drain current
- 3.8 A
- Power dissipation
- 110 W
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 201 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%501,46 ₽
Сумма · с НДС 22%501,46 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 501,46 ₽ | |
| от 10 | 427,10 ₽ | |
| от 50 | 318,42 ₽ | |
| от 100 | 265,03 ₽ | |
| от 250 | 211,64 ₽ | |
| от 500 | 186,86 ₽ | |
| от 750 | 177,32 ₽ | |
| от 1000 | 171,60 ₽ | |
| от 1250 | 167,79 ₽ | |
| от 5000 | 154,44 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | STP6NK60ZFP |
|---|---|
| Производитель | STMICROELECTRONICS |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Технология | SuperMesh™ |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 600 V |
| Drain current | 3.8 A |
| Power dissipation | 110 W |
| Корпус | TO220FP |
| Gate-source voltage | ±30 V |
| On-state resistance | 1.2 Ω |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Kind of package | tube |
| Kind of channel | enhancement |
| Version | ESD |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.8A; 110W; TO220FP; ESD
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.