Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STP6NK60Z

STP6NK60Z
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SuperMesh™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
3.8 A
Рассеиваемая мощность
110 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 235 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%592,30 ₽

Сумма · с НДС 22%592,30 ₽

Проверяем актуальные условия

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1592,30 ₽
от 10286,78 ₽
от 30256,79 ₽
от 50245,54 ₽
от 100226,80 ₽
от 200208,06 ₽
от 500185,56 ₽
от 1000170,57 ₽
от 1250163,07 ₽
от 2000151,82 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSTP6NK60Z
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSuperMesh™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current3.8 A
Рассеиваемая мощность110 W
КорпусTO220-3
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance1.2 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.8A; 110W; TO220-3; ESD

Документация

Документ производителя