Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STP6N80K5

STP6N80K5
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SuperMESH5™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
800 V
Drain current
2.8 A
Pulsed drain current
18 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSTP6N80K5
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSuperMESH5™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage800 V
Drain current2.8 A
Pulsed drain current18 A
Power dissipation85 W
КорпусTO220-3
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance1.6 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge13nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 2.8A; Idm: 18A

Документация

Документ производителя