Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STP6N62K3

STP6N62K3
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SuperMESH3™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
620 V
Drain current
3 A
Power dissipation
30 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSTP6N62K3
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSuperMESH3™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage620 V
Drain current3 A
Power dissipation30 W
КорпусTO220-3
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance1.2 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SuperMESH3™; unipolar; 620V; 3A; 30W; TO220-3

Документация

Документ производителя