STMICROELECTRONICS
Транзистор STP5NK80Z
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Технология
- PowerMesh™
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 800 V
- Drain current
- 2.7 A
- Рассеиваемая мощность
- 110 W
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 209 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%558,61 ₽
Сумма · с НДС 22%558,61 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 558,61 ₽ | |
| от 5 | 437,87 ₽ | |
| от 10 | 383,82 ₽ | |
| от 30 | 311,74 ₽ | |
| от 40 | 297,32 ₽ | |
| от 50 | 286,51 ₽ | |
| от 100 | 250,47 ₽ | |
| от 500 | 200,02 ₽ | |
| от 1000 | 185,60 ₽ | |
| от 2000 | 172,99 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | STP5NK80Z |
|---|---|
| Производитель | STMICROELECTRONICS |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Технология | PowerMesh™ |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 800 V |
| Drain current | 2.7 A |
| Рассеиваемая мощность | 110 W |
| Корпус | TO220-3 |
| Gate-source voltage | ±30 V |
| On-state resistance | 2.4 Ω |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Kind of package | tube |
| Kind of channel | enhancement |
| Version | ESD |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 110W; TO220-3; ESD
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.