STMICROELECTRONICS
Транзистор STP5NK100Z
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Технология
- SuperMesh™
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 1 kV
- Drain current
- 2.2 A
- Power dissipation
- 125 W
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 44 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%804,63 ₽
Сумма · с НДС 22%804,63 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 804,63 ₽ | |
| от 2 | 758,87 ₽ | |
| от 10 | 604,42 ₽ | |
| от 15 | 560,57 ₽ | |
| от 20 | 530,06 ₽ | |
| от 50 | 442,35 ₽ | |
| от 100 | 392,78 ₽ | |
| от 500 | 303,16 ₽ | |
| от 1000 | 274,56 ₽ | |
| от 2000 | 249,78 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | STP5NK100Z |
|---|---|
| Производитель | STMICROELECTRONICS |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Технология | SuperMesh™ |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 1 kV |
| Drain current | 2.2 A |
| Power dissipation | 125 W |
| Корпус | TO220-3 |
| Gate-source voltage | ±30 V |
| On-state resistance | 3.7 Ω |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Kind of package | tube |
| Kind of channel | enhancement |
| Version | ESD |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 2.2A; 125W; TO220-3; ESD
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.