Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STP5N60M2

STP5N60M2
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
MDmesh™ M2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600V
Drain current
2.2A
Pulsed drain current
14A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSTP5N60M2
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyMDmesh™ M2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600V
Drain current2.2A
Pulsed drain current14A
Power dissipation45W
КорпусTO220-3
Gate-source voltage±25V
On-state resistance1.4Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge8nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 2.2A; Idm: 14A

Документация

Документы пока не предоставлены.