Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STP57N65M5

STP57N65M5
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
MDmesh™ M5
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650V
Drain current
26.5A
Pulsed drain current
168A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSTP57N65M5
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyMDmesh™ M5
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650V
Drain current26.5A
Pulsed drain current168A
Power dissipation250W
КорпусTO220-3
Gate-source voltage±25V
On-state resistance63mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge98nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 650V; 26.5A; Idm: 168A

Документация

Документы пока не предоставлены.