Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STP50N65DM6

STP50N65DM6
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650V
Drain current
33A
Pulsed drain current
120A
Power dissipation
250W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSTP50N65DM6
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650V
Drain current33A
Pulsed drain current120A
Power dissipation250W
КорпусTO220-3
Gate-source voltage±25V
On-state resistance91mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge52.5nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 33A; Idm: 120A; 250W; TO220-3

Документация

Документы пока не предоставлены.