Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STP50N60DM6

STP50N60DM6
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
MDmesh™ M6
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
23 A
Pulsed drain current
137 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSTP50N60DM6
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияMDmesh™ M6
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current23 A
Pulsed drain current137 A
Power dissipation250 W
КорпусTO220-3
Gate-source voltage±25 V
On-state resistance80 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge55nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 23A; Idm: 137A

Документация

Документы пока не предоставлены.