Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STP4NK80Z

STP4NK80Z
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SuperMesh™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
800 V
Drain current
1.89 A
Power dissipation
80 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 128 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%549,13 ₽

Сумма · с НДС 22%549,13 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1549,13 ₽
от 5415,66 ₽
от 10347,02 ₽
от 25270,75 ₽
от 50228,80 ₽
от 100198,30 ₽
от 200177,32 ₽
от 500162,07 ₽
от 1000152,54 ₽
от 5000139,19 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSTP4NK80Z
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSuperMesh™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage800 V
Drain current1.89 A
Power dissipation80 W
КорпусTO220-3
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance3.5 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.89A; 80W; TO220-3; ESD

Документация

Документ производителя