Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STP4N90K5

STP4N90K5
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
MDmesh™ K5
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
900 V
Drain current
1.9 A
Pulsed drain current
12 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSTP4N90K5
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияMDmesh™ K5
Polarisationunipolar
Drain-source voltage900 V
Drain current1.9 A
Pulsed drain current12 A
Рассеиваемая мощность60 W
КорпусTO220-3
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance2.1 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge5.3nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 900V; 1.9A; Idm: 12A

Документация

Документы пока не предоставлены.