Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STP4N80K5

STP4N80K5
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
800 V
Drain current
3 A
Pulsed drain current
12 A
Power dissipation
60 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSTP4N80K5
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage800 V
Drain current3 A
Pulsed drain current12 A
Power dissipation60 W
КорпусTO220-3
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance2.5 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge10.5nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3A; Idm: 12A; 60W; TO220-3

Документация

Документы пока не предоставлены.