Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STP4N150

STP4N150
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
PowerMesh™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.5kV
Drain current
2.5A
Power dissipation
160W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSTP4N150
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyPowerMesh™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.5kV
Drain current2.5A
Power dissipation160W
КорпусTO220-3
Gate-source voltage±30V
On-state resistance7Ω
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 2.5A; 160W; TO220-3

Документация

Документ производителя