STMICROELECTRONICS
Транзистор STP45N60DM6
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 600 V
- Drain current
- 19 A
- Pulsed drain current
- 95 A
- Рассеиваемая мощность
- 210 W
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 35 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%1 287,70 ₽
Сумма · с НДС 22%1 287,70 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 1 287,70 ₽ | |
| от 10 | 962,05 ₽ | |
| от 50 | 893,20 ₽ | |
| от 100 | 861,57 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | STP45N60DM6 |
|---|---|
| Производитель | STMICROELECTRONICS |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 600 V |
| Drain current | 19 A |
| Pulsed drain current | 95 A |
| Рассеиваемая мощность | 210 W |
| Корпус | TO220-3 |
| On-state resistance | 99 mΩ |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Gate charge | 44nC |
| Kind of package | tube |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 95A; 210W; TO220-3
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.