Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STP45N10F7

STP45N10F7
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
STripFET™ F7
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100V
Drain current
32A
Pulsed drain current
180A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSTP45N10F7
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
TechnologySTripFET™ F7
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100V
Drain current32A
Pulsed drain current180A
Power dissipation60W
КорпусTO220-3
Gate-source voltage±20V
On-state resistance18mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge25nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 32A; Idm: 180A

Документация

Документы пока не предоставлены.