STMICROELECTRONICS

Транзистор STP3LN80K5

STP3LN80K5

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800 V
Drain current: 1.25 A
Pulsed drain current: 8 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	STP3LN80K5
Производитель	STMICROELECTRONICS
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	MDmesh™ K5
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	800 V
Drain current	1.25 A
Pulsed drain current	8 A
Power dissipation	45 W
Корпус	TO220-3
Gate-source voltage	±30 V
On-state resistance	3.25 Ω
Монтаж	THT — в отверстия
Gate charge	2.63nC
Kind of package	tube
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 1.25A; Idm: 8A

Документация

Документы пока не предоставлены.