Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STP38N65M5

STP38N65M5
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
MDmesh™ M5
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
19 A
Pulsed drain current
120 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSTP38N65M5
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияMDmesh™ M5
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current19 A
Pulsed drain current120 A
Power dissipation190 W
КорпусTO220-3
Gate-source voltage±25 V
On-state resistance95 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge71nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 650V; 19A; Idm: 120A

Документация

Документы пока не предоставлены.