Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STP35N65DM2

STP35N65DM2
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
MDmesh™ DM2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650V
Drain current
20A
Pulsed drain current
90A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSTP35N65DM2
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyMDmesh™ DM2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650V
Drain current20A
Pulsed drain current90A
Power dissipation250W
КорпусTO220-3
Gate-source voltage±25V
On-state resistance0.11Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge56.3nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 90A

Документация

Документы пока не предоставлены.