Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STP35N60DM2

STP35N60DM2
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
MDmesh™ DM2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
17 A
Power dissipation
210 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSTP35N60DM2
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияMDmesh™ DM2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current17 A
Power dissipation210 W
КорпусTO220-3
Gate-source voltage±25 V
On-state resistance0.11 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 17A; 210W; ESD

Документация

Документ производителя