Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STP34NM60N

STP34NM60N
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
MDmesh™ II
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600V
Drain current
20A
Power dissipation
250W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSTP34NM60N
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyMDmesh™ II
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600V
Drain current20A
Power dissipation250W
КорпусTO220-3
Gate-source voltage±25V
On-state resistance0.105Ω
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 20A; 250W

Документация

Документ производителя