Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STP33N60DM6

STP33N60DM6
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
MDmesh™ M6
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600V
Drain current
16A
Pulsed drain current
80A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSTP33N60DM6
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyMDmesh™ M6
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600V
Drain current16A
Pulsed drain current80A
Power dissipation190W
КорпусTO220-3
Gate-source voltage±25V
On-state resistance128mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge35nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 16A; Idm: 80A

Документация

Документ производителя