Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STP33N60DM2

STP33N60DM2
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
MDmesh™ DM2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600V
Drain current
15.5A
Pulsed drain current
96A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSTP33N60DM2
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyMDmesh™ DM2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600V
Drain current15.5A
Pulsed drain current96A
Power dissipation190W
КорпусTO220-3
Gate-source voltage±30V
On-state resistance0.13Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge43nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 15.5A; Idm: 96A

Документация

Документы пока не предоставлены.