Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STP32NM50N

STP32NM50N
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
MDmesh™ II
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
500 V
Drain current
13.86 A
Pulsed drain current
88 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяSTP32NM50N
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияMDmesh™ II
Polarisationunipolar
Drain-source voltage500 V
Drain current13.86 A
Pulsed drain current88 A
Рассеиваемая мощность190 W
КорпусTO220-3
Gate-source voltage±25 V
On-state resistance0.13 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge62.5nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ II; unipolar; 500V; 13.86A; Idm: 88A

Документация

Документы пока не предоставлены.