Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STP310N10F7

STP310N10F7
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
DeepGATE™, STripFET™ VII
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
120 A
Power dissipation
315 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяSTP310N10F7
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияDeepGATE™, STripFET™ VII
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current120 A
Power dissipation315 W
КорпусTO220-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance2.7 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; DeepGATE™; unipolar; 100V; 120A; 315W

Документация

Документ производителя