Антава

STMICROELECTRONICS

Транзистор STP2NK100Z

STP2NK100Z
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SuperMesh™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1 kV
Drain current
1.6 A
Pulsed drain current
7.4 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 212 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%201,35 ₽

Сумма · с НДС 22%201,35 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1201,35 ₽
от 25145,12 ₽
от 50130,49 ₽
от 100117,96 ₽
от 500112,45 ₽
от 1000111,69 ₽
от 2000110,36 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяSTP2NK100Z
ПроизводительSTMICROELECTRONICS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSuperMesh™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1 kV
Drain current1.6 A
Pulsed drain current7.4 A
Power dissipation70 W
КорпусTO220-3
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance8.5 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge16nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1.6A; Idm: 7.4A; 70W; TO220-3

Документация

Документы пока не предоставлены.